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| Artikelnummer | SSM3K56MFV,L3F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VESM |
| Paket / Fall | SOT-723 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR
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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
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