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| Artikelnummer | SSM6P47NU,LF(T |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| Leistung max | 1W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFN (2x2) |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
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