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| Artikelnummer | TC58BVG0S3HTA00 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | EEPROM |
| Technologie | EEPROM - NAND |
| Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 48-TSOP I |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
Auf Lager: 162
