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| Artikelnummer | IRLIZ34GPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 42W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 12A, 5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
Auf Lager: 1732
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
Auf Lager: 1256
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Auf Lager: 0
