Artikelnummer | SI7236DP-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 10V |
Leistung max | 46W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
Auf Lager: 9000
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
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