Artikelnummer | SI7852DP-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.9W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 10A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
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