Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SI7942DP-T1-E3

Vishay Siliconix SI7942DP-T1-E3

Artikelnummer
SI7942DP-T1-E3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

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Produktparameter
Artikelnummer SI7942DP-T1-E3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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