Artikelnummer | NXPSC08650Q |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 230µA @ 650V |
Kapazität @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-2 |
Lieferantengerätepaket | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Kreuzung | 175°C (Max) |
Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 110V TO220
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220-2
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
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