Numero de parte | DMTH6010LK3Q-13 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14.8A (Ta), 70A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41.3nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2090pF @ 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 31W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252 |
Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET 60V 100A TO220-3
En stock: 20
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH
En stock: 14400
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A TO263
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK
En stock: 10000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET NCH 60V 100A TO252
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
En stock: 0