Numero de parte | BCR116SE6327BTSA1 |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 4.7k |
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | 47k |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - corte de colector (máximo) | - |
Frecuencia - Transición | 150MHz |
Potencia - Max | 250mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
En stock: 24000
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS NPN SOT23
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
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