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| Numero de parte | IRG7T75HF12A |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de IGBT | - |
| Configuración | Half Bridge |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150A |
| Potencia - Max | 450W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 75A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 1mA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 10.4nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | POWIR® 34 Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | POWIR® 34 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IGBT CHIP WAFER
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Descripción: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IGBT CHIP WAFER
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Descripción: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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