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| Numero de parte | APT15D100BCTG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 15A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.3V @ 15A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 260ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250µA @ 1000V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 21
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 96
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 19
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 16
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
En stock: 29
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
En stock: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
