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| Numero de parte | APT45GP120B2DQ2G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 113A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 170A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Potencia - Max | 625W |
| Conmutación de energía | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 185nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 18ns/100ns |
| Condición de prueba | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 Variant |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
En stock: 348
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 100A 625W TO247
En stock: 57
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 650V 92A 357W TO-247
En stock: 62
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
