Numero de parte | APT60DQ60BCTG |
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Estado de la pieza | Active |
Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 60A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.4V @ 60A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 35ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-247-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
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Fabricante: Microsemi Corporation
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