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| Numero de parte | APT80SM120J |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 51A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
En stock: 6
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
En stock: 0
