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| Numero de parte | JAN1N5419 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 3A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 9A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 250ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 500V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | B, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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