provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero de parte | JAN1N5806 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 2.5A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 2.5A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 25ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 150V |
| Capacitancia @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | A, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 0
