Numero de parte | JANTX1N3170R |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | 300A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.55V @ 940A |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitancia @ Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / caja | DO-205AB, DO-9, Stud |
Paquete de dispositivo del proveedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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