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| Numero de parte | JANTX1N4970US |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
| Tolerancia | ±5% |
| Potencia - Max | 5W |
| Impedancia (Máx.) (Zzt) | 10 Ohm |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 25.1V |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 1A |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | E-MELF |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-5B |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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