Numero de parte | JANTX1N6761UR-1 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 380mV @ 100mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacitancia @ Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 125°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 4