Numero de parte | JANTX2N3029 |
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Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Estado apagado | 1000V |
Voltaje - Disparador de puerta (Vgt) (Máx) | 800mV |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
Voltaje - En estado (Vtm) (Máx) | 1.5V |
Actual - En estado (It (AV)) (Máx) | - |
Actual - En estado (It (RMS)) (Max) | 250mA |
Current - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Current - Off State (Max) | 100nA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 5A, 8A |
Tipo de SCR | Sensitive Gate |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-18 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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