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| Numero de parte | MBR20200CTE3/TU |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 10A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 10A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 200V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 200A SOT227
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
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