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| Numero de parte | IGD515EI |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Configuración Impulsada | High-Side or Low-Side |
| Tipo de canal | Single |
| Cantidad de controladores | 1 |
| Tipo de puerta | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje | 12 V ~ 16 V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH | 0.9V, 3.8V |
| Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) | 15A, 15A |
| Tipo de entrada | - |
| Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) | - |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) | 40ns, 40ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IGBT 600V 12A 88W TO252-3
En stock: 0
