STMicroelectronics STGB4M65DF2

Numero de parte: STGB4M65DF2
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - IGBT - Simple

STMicroelectronics

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	STGB4M65DF2
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	650V
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Corriente - colector pulsado (Icm)	16A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 4A
Potencia - Max	68W
Conmutación de energía	40µJ (on), 136µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	15.2nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	12ns/86ns
Condición de prueba	400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	133ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor	D2PAK