Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVBTPL3Z

Numero de parte: 2SA1955FVBTPL3Z
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - Bipolar (BJT) - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto

Numero de parte	2SA1955FVBTPL3Z
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de transistor	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	400mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	12V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 200mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 10mA, 2V
Potencia - Max	100mW
Frecuencia - Transición	130MHz
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor	VESM