Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE,LF(CT

Numero de parte: RN1902FE,LF(CT
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto

Numero de parte	RN1902FE,LF(CT
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios)	10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios)	1k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia - Max	100mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6