Toshiba Semiconductor and Storage TH58NVG2S3HTAI0

Numero de parte: TH58NVG2S3HTAI0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Memoria

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto

Numero de parte	TH58NVG2S3HTAI0
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	EEPROM
Tecnología	EEPROM - NAND
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	25ns
Tiempo de acceso	25ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	48-TSOP I