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| Numero de parte | SQJ202EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A, 60A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 6V |
| Potencia - Max | 27W, 48W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
En stock: 3000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
En stock: 3000
