Diodes Incorporated DMT6007LFG-7

Osa numero: DMT6007LFG-7
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Diodes Incorporated

diodes incorporated is a leading global manufacturer and supplier of high-quality application specific standard products within the broad discrete and analog semiconductor markets.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.23828/pcs
2,000 pcs
0.22792/pcs

Kaikki yhteensä:0.23828/pcs

Unit Price:

0.23828/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	DMT6007LFG-7
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	15A (Ta), 80A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41.3nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	2090pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 20A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajan laitepaketti	PowerDI3333-8
Pakkaus / kotelo	8-PowerWDFN