Infineon Technologies IKW30N65EL5XKSA1

Osa numero: IKW30N65EL5XKSA1
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - IGBT - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
2.55000/pcs
10 pcs
2.47900/pcs
100 pcs
2.03100/pcs
500 pcs
1.72897/pcs
1,000 pcs
1.45816/pcs

Kaikki yhteensä:2.55000/pcs

Unit Price:

2.55000/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IKW30N65EL5XKSA1
Osan tila	Active
IGBT-tyyppi	-
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi)	650V
Nykyinen - Collector (Ic) (Max)	85A
Nykyinen - Collector Pulsed (Icm)	120A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic	1.35V @ 15V, 30A
Teho - Max	227W
Energian vaihto	470µJ (on), 1.35mJ (off)
Syötteen tyyppi	Standard
Gate Charge	168nC
Td (päällä / pois) @ 25 ° C	33ns/308ns
Testausolosuhteet	400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Käänteinen palautusaika (trr)	100ns
Käyttölämpötila	-40°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Toimittajan laitepaketti	PG-TO247-3