Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2

Osa numero: IPP80N06S209AKSA2
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.70500/pcs
10 pcs
0.66150/pcs
100 pcs
0.52270/pcs
500 pcs
0.40536/pcs
1,000 pcs
0.32002/pcs

Kaikki yhteensä:0.70500/pcs

Unit Price:

0.70500/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IPP80N06S209AKSA2
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 125µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	2360pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.1 mOhm @ 50A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Toimittajan laitepaketti	PG-TO220-3-1
Pakkaus / kotelo	TO-220-3