Osa numero | IPU090N03L G |
---|---|
Osan tila | Obsolete |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 30V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 42W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajan laitepaketti | PG-TO251-3 |
Pakkaus / kotelo | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Varastossa: 373
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3
Varastossa: 0
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
Varastossa: 1