provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | 1N5281BDO35TR |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Jännite - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
| Toleranssi | ±5% |
| Teho - Max | 500mW |
| Impedanssi (maksimi) (Zzt) | 2500 Ohm |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 100nA @ 152V |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.5V @ 200mA |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Toimittajan laitepaketti | DO-35 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ZENER 190V 500MW DO35
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ZENER 190V 500MW DO35
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ZENER 200V 500MW DO35
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ZENER 200V 500MW DO35
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ZENER 200V 500MW DO35
Varastossa: 5000
Valmistaja: Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
Varastossa: 0
