provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT60DQ100LCTG |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Diodin kokoonpano | 1 Pair Common Cathode |
| Diodityyppi | Standard |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 1000V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodi) | 60A |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 3V @ 60A |
| Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | 255ns |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-264-3, TO-264AA |
| Toimittajan laitepaketti | TO-264 [L] |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Varastossa: 4
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Varastossa: 2
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Varastossa: 3
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Varastossa: 15
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Varastossa: 25
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Varastossa: 375
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Varastossa: 0
