provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT85GR120JD60 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | NPT |
| kokoonpano | Single |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 1200V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 116A |
| Teho - Max | 543W |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 85A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 1.1mA |
| Tulo kapasitanssi (Cies) @ Vce | 8.4nF @ 25V |
| panos | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | SOT-227-4, miniBLOC |
| Toimittajan laitepaketti | SOT-227 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 170A 962W TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
Varastossa: 116
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
Varastossa: 42
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 170A 962W TO264
Varastossa: 1
