provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JAN1N6660 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Diodin kokoonpano | 1 Pair Common Cathode |
| Diodityyppi | Schottky |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 45V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodi) | 15A |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 750mV @ 15A |
| Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | - |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 1mA @ 45V |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -65°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Toimittajan laitepaketti | TO-254AA |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 0
