Osa numero | JANTX2N4857 |
---|---|
Osan tila | Discontinued at Digi-Key |
FET-tyyppi | N-Channel |
Jännitteen jakautuminen (V (BR) GSS) | 40V |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 40V |
Nykyinen - Viemäri (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 100mA @ 15V |
Nykyinen tyhjennys (Id) - maks | - |
Jännite - katkaisu (VGS pois päältä) @ Id | 6V @ 500pA |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
Resistance - RDS (On) | 40 Ohm |
Teho - Max | 360mW |
Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Pakkaus / kotelo | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Toimittajan laitepaketti | TO-18 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 87
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 100
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 39
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 36
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 4