provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | MBR3060FCTE3/TU |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Diodin kokoonpano | 1 Pair Common Cathode |
| Diodityyppi | Schottky |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 60V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodi) | 15A |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 750mV @ 15A |
| Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | - |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 50µA @ 60V |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-220-3 |
| Toimittajan laitepaketti | TO-220AB |
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
Varastossa: 0
Valmistaja: GeneSiC Semiconductor
Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
Varastossa: 0
