Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV,L3F

Osa numero: RN1102MFV,L3F
Valmistaja: Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - Bipolaari (BJT) - Yksittäinen, esiasennettuna

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.01890/pcs
8,000 pcs
0.01890/pcs
16,000 pcs
0.01606/pcs
24,000 pcs
0.01512/pcs
56,000 pcs
0.01418/pcs

Kaikki yhteensä:0.01890/pcs

Unit Price:

0.01890/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	RN1102MFV,L3F
Osan tila	Active
Transistorityyppi	NPN - Pre-Biased
Nykyinen - Collector (Ic) (Max)	100mA
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi)	50V
Vastus - pohja (R1) (ohmit)	10k
Vastus - emitteripohja (R2) (ohmit)	10k
DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)	500nA
Taajuus - Siirtyminen	-
Teho - Max	150mW
Asennustyyppi	Surface Mount
Pakkaus / kotelo	SOT-723
Toimittajan laitepaketti	VESM