Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TC

Numéro d'article
ZXMC4559DN8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'article ZXMC4559DN8TC
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V
Puissance - Max 2.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
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