Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ZXMN3F31DN8TA

Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8TA

Numéro d'article
ZXMN3F31DN8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Paramètre du produit
Numéro d'article ZXMN3F31DN8TA
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V
Puissance - Max 1.8W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
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