epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| Numéro d'article | EPC8009ENGR |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 65V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.38nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 47pF @ 32.5V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | Die |
| Paquet / cas | Die |
Fabricant: EPC
La description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
En stock: 0
