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| Numéro d'article | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de la mémoire | FRAM |
| La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire un temps de cycle - Word, Page | 150ns |
| Temps d'accès | 150ns |
| Interface de mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Fujitsu Electronics America, Inc.
La description: IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
En stock: 0
Fabricant: Fujitsu Electronics America, Inc.
La description: IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP
En stock: 0
Fabricant: Fujitsu Electronics America, Inc.
La description: IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP
En stock: 0
Fabricant: Fujitsu Electronics America, Inc.
La description: IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP
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Fabricant: Fujitsu Electronics America, Inc.
La description: IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
En stock: 0
Fabricant: Fujitsu Electronics America, Inc.
La description: IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
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