Global Power Technologies Group GP1M018A020PG

Numéro d'article: GP1M018A020PG
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.70000/pcs
10 pcs
0.64800/pcs
100 pcs
0.51205/pcs
500 pcs
0.39710/pcs
1,000 pcs
0.31350/pcs

Total:0.70000/pcs

Unit Price:

0.70000/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	GP1M018A020PG
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	I-Pak
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA