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| Numéro d'article | GP2M004A065CG |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 642pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 98.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 2A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D-Pak |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 2A
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
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La description: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
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Fabricant: Global Power Technologies Group
La description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
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