Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés BCR10PNB6327XT

Infineon Technologies BCR10PNB6327XT

Numéro d'article
BCR10PNB6327XT
Fabricant
Infineon Technologies
La description
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article BCR10PNB6327XT
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Fréquence - Transition 130MHz
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur PG-SOT363-6
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