Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés BCR183WE6327HTSA1

Infineon Technologies BCR183WE6327HTSA1

Numéro d'article
BCR183WE6327HTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article BCR183WE6327HTSA1
État de la pièce Obsolete
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 200MHz
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur PG-SOT323-3
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