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| Numéro d'article | APT75GT120JRDQ3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 97A |
| Puissance - Max | 480W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 75A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 200µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 5.1nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD DIODE 1700V SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD DIODE 1200V SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD DIODE 600V SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247
En stock: 2948
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
En stock: 20
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 200A 833W TMAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 124A 379W SOT227
En stock: 0
