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| Numéro d'article | JAN2N3019 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | NPN |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Puissance - Max | 800mW |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-39 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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