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| Numéro d'article | JAN2N3810 |
|---|---|
| État de la pièce | Discontinued at Digi-Key |
| Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Puissance - Max | 350mW |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-78-6 Metal Can |
| Package de périphérique fournisseur | TO-78-6 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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